本轮DRAM涨价始于2025年二季度，部分DDR4型号单月涨幅逼近50%，涨势延续至今，波动幅度创八年来新高。

AI技术爆发推动HBM及服务器DDR5需求激增，三星、SK海力士、长鑫存储等原厂将DDR4产能转投高端产品，导致DDR4供应骤减，且多家原厂明确最迟2026年上半年停止DDR4供货。

此外，中美贸易战90天休战期内，美国3C数码产品订单暴增，DDR4需求激增与供应短缺形成共振。

值得注意的是，本轮涨价中NAND闪存价格虽同步上涨，但涨幅温和。

而DDR4与DDR5的[价格倒挂]现象，实属行业异常，反映出供需失衡的极端程度，预计将持续三至五个月，直至市场完成向DDR5的升级。

2025年DRAM市场规模预计达907亿美元，同比增长13%。年初至今，DRAM市场综合价格指数累计上涨47.7%，其中6月环比上涨19.5%。

因DDR4产能优先满足服务器需求，消费级供应有限且订单规模小、买方议价能力弱，第三季度消费级DDR4价格预计季度环比增长40%至45%。

具体来看，PC用DDR4价格将上涨38%至43%，服务器用DDR4涨幅为28%至33%；面临供应缺口与补货需求的LPDDR4X，预计涨幅23%至28%。

DDR4合约价涨势至少将延续至2025年三季度，不排除原厂因生产经济性提升而放缓减产幅度，但目前尚无确切决策信息。

HBM在整体DRAM市场的占比稳步提升，从2025年第二季度的9%升至第三季度的10%。

这与HBM3E采用率提升及搭载288GB HBM3E内存的AMD MI350X、NVIDIA B300/Blackwell Ultra等AI加速器普及密切相关。

美光近日宣布向核心客户交付12层堆叠36GBHBM4样品，计划2026年量产以支持下一代AI平台需求，其HBM市场份额预计2025年下半年达20%至25%，与自身DRAM市场份额相当。

三大内存原厂的产能调整是此次市场波动的核心原因。

三星计划于2025年6月完成DDR4芯片最终订单接收，同年12月中旬完成模块出货；

SK海力士预计2025年10月停止接单，2026年4月完成最终出货；

美光则于2025年6月初通知客户DDR4进入EOL阶段，2026年第一季度陆续停止出货。

在产能全面转向DDR5与HBM后，旧制程产能释放极为有限。

此外，美光生产线转产12纳米制程时，其台湾厂房产线清空后设备需迁回美国，转换期间将形成供给空窗期。

值得注意的是，此次DDR4 EOL行动涵盖消费电子、移动设备、PC及数据中心等主力应用领域，仅少数车用与工控规格产品持续生产，前四大供应商同步大幅减产，预计DDR4供不应求态势将持续至2026年。

与此同时，国产厂商长鑫存储表现亮眼。市场分析机构Counterpoint预测，其本年度DRAM出货量同比增长50%，市场份额将从6%提升至8%，引发行业广泛关注。

各大DRAM制造商正加速推进旧制程产能缩减，全力向先进节点倾斜。

以三星为例，其计划在2025年大幅提升1a/1b纳米制程产能，逐步淘汰1y及1z纳米技术的DRAM芯片模块，这一战略已迅速引发现货市场价格波动。

尽管其他厂商仍在供应旧制程产品，但行业长期趋势明确：领导者正将资源集中于DDR5与HBM，原本平稳的市场因此变得活跃。

OEM厂商将新款笔记本电脑升级至DDR5规格，而DDR4因性价比优势在特定领域需求强劲，推动市场询单量激增，交易活跃度显著提升，部分分销商已提前备货以稳定库存。

三星计划2025年大幅提升1a/1b纳米制程产能，淘汰1y及1z纳米技术；

SK海力士与三星已实现D1a及D1b单元设计产品商业化，涵盖DDR5、LPDDR4X等系列，单元设计尺寸达12纳米级最小规格，且在EUV光刻技术领域领先。

美光在1α与1β制程中延续ArF及ArFi图形化技术，计划在1γ制程引入EUV。

其1γ制程的DDR5实现9200兆次传输/秒的数据传输速率，较前代提升15%，功耗降低20%以上。

对AI与数据中心应用意义重大，且计划于2025年第二季度向特定合作伙伴提供基于1γ制程的LPDDR5X16Gb产品样品。

行业预计，2025年初各大制造商将实现D1c制程DRAM量产；2026至2027年，终极10纳米级DRAM器件（D1d或D1δ节点）将问世；

至2030年，DRAM技术将推进至个位数纳米节点（0a、0b、0c系列）。